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    公开号:WO1991006977A1
    申请号:PCT/JP1990/001413
    申请日:1990-11-02
    公开日:1991-05-16
    发明作者:Chikafumi Oomachi；Yasuyuki Tanaka
    申请人:Nippon Mektron, Ltd.；
    IPC主号:H01L24-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書
    [0002] I C搭載用可撓性回路基板及びその製造法
    [0003] 「技術分野」
    [0004] 本発明は I Cベアチップを可撓性回路基板に対して直接的に実装 可能に構成した I c搭載用可撓性回路基板とその製造法に関する。 更に具体的には、 本発明は好ま しく は無接着剤可撓性導電積層扳を 用いて構成した可撓性回路基板の絶縁基材に穿孔を形成し、 この穿 孔部にメ ツキ手段で突起状接合用導電部を形成し、 該突起状接合用 導電部により I Cベアチップのパッ ドと電気的な接続を図るように 構成した I C搭載用可撓性回路基板及びその為の製造法に関する。
    [0005] 「背景技術」
    [0006] 接合バンプを用いて I Cベアチップを回路基板に実装する方法と して、 第 10図（1) 及び（2) の如く I Cベアチップ 1のボンディ ングパ ッ ド 2側に形成したバンプ 3又はチップキャ リアテープ 4側のリ ー ドフィ ンガー 5に形成したバンプ 6を用いて熱融着又は超音波ボン デイ ングで接続するタブ方式は公知であり、 また、 第 1 1 図のよう に I Cベアチップ 1側に形成したバンプ 3 と回路基板 7の導体バタ ーン 8 とを半田で接続するフ リ ップチップ方式も提案されており、 斯かるフ リ ップチップ方式の場合には、 図の如く半田流れ防止ダム 9を導体パター ン 8側に設けるのが一般的である。
    [0007] 上記に於いてタブ方式の場合、 I Cベアチップ 1側にバンプ 3を 形成する第 1 0図 （ 1 ) の手法は多数の工程を要し、 コス ト高とな る。 そこで、 リ ー ドフィ ンガー 5の先端に同図 （ 2 ) のよう にバン プ 6を転写する方法も採用されつつあるが、 この手法ではバンプ製 作の為の専用治具のほか、 転写ボンディ ング工程が必要であって、 その上、 高密度化にも限度がある。 そして、 この両手法ではリ一 ド フィ ンガー 5の支持体はないので、 その機械的強度は弱く、 また、 それらリ ー ドフィ ンガー 5の間には絶縁体がないことから、 ボンデ イ ング用パッ ド 2を千鳥状に配置することも不可能であり、 更に、 リー ドフィ ンガー 5の突出構造により該フィ ンガー 5は変形し易く、 X、 Υ、 Ζ方向とも位置精度を保持することは困難である。
    [0008] —方、 第 1 1図のフ リ ップチップ方式の場合には上記同様 I Cベ ァチップ 1側にバンプ 3を形成するので、 これには多数の工程を要 し、 コス ト高となる他、 回路基板 7のパッ ド周辺に対し半田流れ防 止ダム 9を形成する必要があってコス ト高となり、 且つ高密度化を 図る上でも限界がある。
    [0009] 「発明の開示」
    [0010] 本発明はそこで、 可撓性回路基板を貫通してその回路配線パター ンと電気的に導通化したバンプ用突起部を該可撓性回路基板の裏面 に突出形成し、 このバンプ用突起部の構成に応じてその突起部の表 面に接合用金属を被覆形成し得るように構成した I C搭載用可撓性 回路基板を製作し、 この可撓性回路基板の上記バンプ用突起部に対 して I Cベアチップを熱融着法又は超音波ボンディ ング等の手段で 簡便に実装できるように構成した I C搭載用可撓性回路基板及びそ の製造法を提供するものである。
    [0011] その為に本発明の I C搭載用可撓性回路基板によれば、 好ま しく は可撓性絶縁基材と導電層との間に接着剤層のない片面又は両面の 無接着剤可撓性導電積層扳を使用し、 その絶縁基材の一方面に形成 した所要の回路配線バタ一ンの所要部位に達するように上記絶縁基 材に穿孔を設け、 この穿孔は上記回路配線パターンの所要の部位と 電気的に接合されたメ ツキ部材からなる導電性部材を備え、 この導 電性部材は上記絶縁基材の他方面から突出して I Cボンディ ングの 為のバンプとして機能する I Cパッ ド接合用突起部を形成するよう に構成したものである。
    [0012] 導電性部材で構成した斯かる I cパッ ド接合用突起部は I cパッ ドの配設態様に応じて任意千鳥状の配置も容易であって、 該接合用 突起部はその全部を金、 錫、 鉛 ， 錫合金等からなる I cパッ ドに対 する接合容易な導電性メ ツキ部材で形成できる他、 先ず銅メ ツキ部 材で構成してバンプに該当する先端突出部に上記の如き I cパッ ド との接合容易な導電性メ ツキ部材を被覆するように構成することも 可能であり、 更には穿孔内部を銅メ ツキ部材で構成すると共にバン プ相当部位を該鋦メ ツキ部材に被着した半田部材で構成することも 好適である。
    [0013] 上記の如き I C搭載用可撓性回路基板は種々の手法で製作できる ものであって、 無接着剤片面型可撓性導電積層扳を使用する場合に は、 先ず絶縁基材側から導電層に達する穿孔を形成したうえ、 メ ッ キ手段で該穿孔に充填した導電性部材により一端が上記導電層に密 着し他端が該絶縁基材から突出する I cパッ ド接合用突起部を形成 した後、 該接合用突起部との関連に於いて上記導電層に対して所要 の回路配線パター ンニング処理を施すという基本的な各工程からな る手法を採用できる。 また、 無接着剤両面型可撓性導電積層扳を用 いる場合には、 その両導電層の一方面に対して所要の回路配線バタ 一ンニング処理を施すと共に該導電層の他方面に対し上記絶縁基材 から上記回路配線パターンの所要の部位に達する穿孔を形成する為 に必要な導電層除去部を形成し、 該除去部に現れた上記絶縁基材部 分に上記穿孔を形成し、 次に該穿孔側に残された不要な導電層を除 去した後、 メ ツキ手段で上記穿孔に充填した導電性部材により一端 が上記回路配線パター ンの所要の部位に密着すると共に他端が上記 絶縁基材から突出する I cパッ ド接合用突起部を形成する基本的な 各工程を採用できる。
    [0014] 同様に、 無接着剤両面型可撓性導電積層扳を用いる場合に於いて、 その両導電層の一方面に所要の回路配線パターンに対応したレジス トパター ンを形成し、 上記導電層の他方面には上記絶縁基材から上 記回路配線パターンに該当する導電層の所要部位に達する穿孔を形 成する為に必要な導電層除去部を形成し、 該除去部に現れた上記絶 縁基材部分に上記穿孔を形成し、 次に該穿孔側に残された不要な導 電層を除去した後、 メ ツキ手段で上記穿孔に充填した導電性部材に よって一端が上記回路配線パターンに該当する導電層の所要の部位 に密着すると共に他端が上記絶縁基材から突出する I Cパッ ド接合 用突起部を形成し、 最後に上記レジス トパターンを用いて所要の回 路 E線パターンニング処理を行なうような基本的な各工程の採用も 好適である。
    [0015] 上記各手法に於いて、 既述の I Cパッ ド接合用突起部を形成する 為には各種工程の付加又は変更をなし得るもので、 これらは以下に 詳述される。
    [0016] 「図面の簡単な説明」
    [0017] 第 1図は本発明の一実施例に従って I Cパッ ド接合用突起部を備 えるように構成した I C搭載用可撓性回路基板の概念的な断面構成 図、
    [0018] 第 2図は同じく千鳥状配置の I Cパッ ド接合用突起部を備えるよ うに構成した本発明の他の実施例に従った I C搭載用可撓性回路基 板の概念的な断面構成図、
    [0019] 第 3図は両面に回路配線パターンを有する形態に I Cパッ ド接合 用突起部を備させるように構成した本発明の更に他の実施例に従つ た I C搭載用可撓性回路基板の概念的な断面構成図、
    [0020] 第 4図（1) 〜（3) は本発明によって構成された I Cパッ ド接合用突 起部の各種要部断面構成図、
    [0021] 第 5図（1) 〜（4) は可撓性片面型の導電積層扳を用いて実施した本 発明の I C搭載用可撓性回路基板の一実施例による製造工程図、 第 6図（1) 〜（5) は同じく他の実施例に従った I C搭載用可撓性回 路基板の製造工程図、 第 7図（1) 〜（6) は可撓性両面型の導電積層扳を用いて実施した本 発明の I C搭載用可撓性回路基板の一実施例による製造工程図、 第 8図（1) 〜（8) は回路配線パターン形成処理に際してメタルレジ ス トパターンを併用する他の実施例に従った I C搭載用可撓性回路 基板の製造工程図、
    [0022] 第 9図は同じく プロテク トフイルム付き ドライフォ ト レジス トフ ィルムを用いた実施例の場合の同様な本発明の製造工程図、
    [0023] 第 1 0図（1) 及び（2) は従前のタブ方式による I C搭載手法の説明 図、 そして、
    [0024] 第 1 1 図は同じく従来のフ リ ップチップ方式に従った I C搭載手 法の説明図である。
    [0025] 「発明を実施する為の最良の形態」 第 1 図〜第 3図を参照すると、 本発明に従って構成された I C搭 載用可撓性回路基板の概念的な要部断面構成図が示されており、 同 図に於いて、 1及び 2は記述した I Cベアチップとそのボンディ ン グパッ ドを示し、 この I Cベアチップ 1 は該パッ ド 2を介して本発 明に係る I C搭載用可撓性回路基板〗 0 に実装可能な如く、 この可 撓性回路基板 1 0は好ま しく はポリイ ミ ドフ ィ ルムの如きポリマー 基材からなる可撓性絶縁基材 1 1 と、 該絶縁基材 1 1 の一方面に被 着形成した所要の回路配線パター ン 1 2 と、 この回路配線パター ン 1 2のうち所定端部に於いて絶縁基材 1 1 の接合部位で電気的に密 着接合され且つその絶縁基材 1 1 を貫通して I Cベアチップ 1 のボ ンディ ングパッ ド 2に突出すべく形成した I Cパッ ド接合用突起部 1 3 とを具備すべく構成されている。 斯かる I Cパッ ド接合用突起 部 1 3は第 1図のように整列した態様のものに限らず、 I Cベアチ ップ 1のボンディ ングパッ ド 2の配置形態に応じて第 2図の如く I C パッ ド接合用突起部 1 3を千鳥状に配置する構成も任意に採用自在 である。 また、 このような I C搭載用可撓性回路基板 1 0に対して 第 3図の如く I Cパッ ド接合用突起部 1 3が突出している側に他の 回路配線パターン 1 4を適宜形成し、 これら表裏両回路配線パター ン 1 2、 1 4の所要箇所を常法によるスルーホール導通部 1 5で接 続して両面型 I C搭載用可撓性回路基板 1 0を構成することも可能 である。
    [0026] 上記 I Cパッ ド接合用突起部 1 3は第 4図（1) 〜（3) の如く各種態 様で構成できる。 即ち、 同図（1) の構造ではこの接合用突起部 1 3 A の全部を金、 錫又は鉛 ·錫合金等の I Cパッ ド 2に対する接合容易 な導電性部材で構成した実施例を示し、 また、 同図（2) の場合では接 合用突起部 1 3 Bを銅メ ツキ部材で形成した上、 その突出外面に上 記同様に金、 錫又は鉛 ·錫合金等の導電性部材による被着層 1 3 C を設けて I Cパッ ド接合用突起部を構成したものである。 更に、 同 図（3) の構造の如く絶縁基材 1 1を貫通する導電部分 1 3 Dを先ず銅 メ ッキ部材で形成する一方、 突起部分はリフロー可能な半田ク リ ー ム又は半田ボールで形成するか或いはディ ップ半田の当該部に対す る付着による半田部材 1 3 Eで形成して I Cパッ ド接合用突起部を 構成した実施例を示す。
    [0027] 斯かる I Cパッ ド接合用突起部 1 3は図の如くその突出端を断面 半円弧状に構成するのが好ま しく、 また、 I Cベアチップ 1 に対す るボンディ ング性を好適に確保可能な構造として、 後述の如く絶縁 基材 1 1 と回路配線パター ン 1 2、 1 4 との間には接着剤層を介在 させない形態が適当である。 I Cパッ ド接合用突起部 1 3はいずれ にしても、 可撓性絶縁基材 1 1 により好適に支持された構造であつ て、 その位置精度や機械的強度を確保しながら高密度な配装形態を 簡便に構成できる。
    [0028] このような I C搭載用可撓性回路基板の製品は本発明に従った種々 の手法で製作可能であって、 第 5図及び第 6図はその一方の製造ェ 程図を示す。 即ち、 第 5図の手法では同図（1) の如くポリイ ミ ドフィ ルムで代表的なィ ミ ド系ポリマーからなる可撓性絶縁基材 1 1 の一 方面に接着剤層の介在なしに銅箔等の導電層 1 2 Aを一様に被着し て構成される無接着剤可撓性片面導電積層板を準備する。 このよう な無接着剤片面導電積層板は例えば所要の厚さの銅箔等の導電層 1 2 A に対する絶縁基材 1 1 の為のフィ ルム部材のキャスティ ング手段若 しく は上記の如きフィルム絶縁基材 1 1 に対する導電部材のスパッ タリ ングゃイオン蒸着等の手法によって第一の導電層を形成した後、 この導電層上にメ ツキ手段で第二の導電層を厚付して構成すること が出来る。
    [0029] この無接着剤可撓性片面導電積層板の絶縁基材 1 1 に対しては同 図（2) に示す如くその外面から導電層 1 2 Aに達する穿孔 1 6をェキ シマレーザ手段若しく は強アルカ リ水溶液ゃヒ ドラジン等を使用す る化学的樹脂エッチング手段で例えば直径約 50 / m 〜100 z m 程度の 大きさに穿設し、 斯かる貫通穿設手段で以下に形成すべき回路配線 バタ一ンの位置との関連に於いて絶縁基材 1 1 の側から導電層 1 2 A の所定領域を露出させた後、 導電層 1 2 Aにマスキング処理を施す か又は施すことなく電解メ ツキ手段で導電部材として I Cパッ ドと の接合容易な金、 錫又は鉛 · 錫合金等からなる導電性メ ツキ部材を 穿孔 1 6に充填処理し、 以つて同図（3) の如き一端が導電層 1 2 Aに 密着接合すると共に他端が絶縁基材 1 1面から適度に突出する I C パッ ド接合用突起部 1 3 Aを形成するこ とが出来る。 この接合用突 起部 1 3 Aの形成工程後には、 上記突起部 1 3 Aをマスクするか又 はすることなく この突起部 1 3 Aとの位置関係に於いて常法でのフ ォ トエッチングに従ったパターンニング処理を導電層 1 2 Aに施し て同図（4) に示すような所要の回路配線パターン 1 2を適宜形成し、 以つて第 4図（1) で既述の構造に係る I C搭載用可撓性回路基板を製 作できるこ ととなる。
    [0030] 上記の手法に於いて、 穿孔 1 6に対する導電性部材の充填工程を 第 6図（3) の如く銅メ ッキ手段で処理して接合用突起部 1 3 Bを形成 する場合には、 前記と同様な回路配線パター ンニング工程後に同図 (5) のとおり銅メ ツキ部材で形成した接合用突起部 1 3 Bの外部突出 面に対して I Cパッ ドとの接合容易な金、 錫又は鉛 · 錫合金等から なる導電性部材をメ ツキして被着層 1 3 Cを形成することにより、 第 4図（2) に示す I C搭載用可撓性回路基板の構造を得ることが出来 る。 更に、 この手法に於いて、 第 6図（3) での穿孔 1 6に対する導電 性部材の充填工程の際、 銅メ ツキ部材を穿孔 1 6内に施して該部に 導電部分 1 3 Dを形成するように変更し、 次いでこの導電部分 1 3 D の露出面にリフロー可能な半田ク リ ームか半田ボールの付着処理を 施すか或いはディ ップ半田処理を加えることによって I Cパッ ドに 接合の容易な導電性突起部 1 3 Eを付設した I Cパッ ド接合用突起 部の構造を得ることが出来る。
    [0031] 一方、 本発明に係る I C搭載用可撓性回路基板を製造するに際し て、 絶縁基材に形成すべき導電部材充填用穿孔処理を更に好適に施 す手法として既述のイ ミ ド系ポリマーからなるフィルム状絶縁基材 の両面に接着剤層の介在なしに所要の導電層を備える無接着剤可撓 性両面導電積層扳を用いる製造法もまた好適である。 第 7図はその —方による製造工程図であって、 同図（1) の如く上記同様の絶縁基材 1 1の一方面に例えば 35 m 程度の厚い導電層 1 2 Aを有し他方面に は 2 /z m 前後の薄い導電層 1 2 Bを有する無接着剤可撓性両面導電積 層扳を準備し、 先ず厚い導電層 1 2 Aの側には回路配線パター ンの 為の所要の回路配線用レジス トパターン 1 7を形成すると共に同図 (2) の如く薄い導電層 1 2 Bの側に対して以下の穿孔を設ける為に必 要な穿孔用レジス トパターン 1 8をフォ ト レジス ト剤の使用による 露光 · 現像処理で上記レジス トパターン 1 7 と同時に形成する。 フ ォ トレジス ト剤は各種のものを使用できるが、 上記の実施例と同様 に ドライフォ トレジス トフイルムの形態のものが好適である。 また、 このようなフォ トレジス ト剤としてアル力 リ可溶性のものを使用す ると、 上記同様に以下の穿孔工程で化学的樹脂ェッチング手段を採 用する場合にはその穿孔処理と同時にこれらの両レジス トパターン 1 7、 1 8の剥離処理を行う ことも可能である。
    [0032] 次いで、 同図（3) の如く、 回路配線用レジストパターン 1 7側の厚 い導電層 1 2 Aの露出部分と穿孔用レジス トパターン 1 8の側に露 出する薄い導電層 1 2 Bの部位とを同時にエッチング除去して絶縁 基材 1 1 の一方面に回路配線バター ン 1 2を、 またその他方面に穿 孔用導電層除去部 1 9を各々形成した段階で、 強アルカ リ水溶液又 はヒ ドラジン等の使用による化学的樹脂エッチング手段か若しく は エキシマレーザ手段で同図（4) に示すように薄い導電層 1 2 Bをマス ク部材の如く機能させながら絶縁基材 1 1 に穿孔 1 6を形成する。 そこで、 上記両レジス 卜パター ン 1 7、 1 8を剥離した後、 同図（5) の如く薄い導電層 1 2 Bの全部をエッチング除去する。 そして、 終 段工程として形成済み回路配線パターン 1 2側を適宜マスキング処 理して第 4図（1) 〜（3) で説明した手法の採用により穿孔 1 6に対す る電気メ ッキ手段で I Cパッ ド接合用突起部 1 3を同図（6) のとおり 形成して I C搭載用可撓性回路基板を得ることが出来る。
    [0033] ここで、 第 7図（1) の如き無接着剤可撓性両面導電積層扳を用いな がら第 8図の実施例に示すように錫、 鉛、 錫ニッケル合金又は金等 の耐エツチング導電性部材のメ ツキ手段でメタルレジス トパターン を形成して所要の回路配線バタ一ンを構成するように工程を変更す ることも好適であって、 この手法の場合には、 厚い導電層 1 2 A側 に於ける回路配線パターンの形成部位以外の領域に同図（2) の如くェ ツチングレジス トパターン 1 7 Aを形成すると共に薄い導電層 1 2 B 側には上記同様の穿孔用レジス トパターン 1 8を各々露光 · 現像ェ 程で形成した後、 同図（3) のとおり薄い導電層 1 2 Bの穿孔該当露出 部を適宜マスク処理して厚い導電層 1 2 A上に露出する所要の回路 配線パター ンに応じた領域に既述の錫、 鉛、 錫ニッケル合金又は金 等の部材の使用による電気メ ツキ手段で耐エッチング導電性部材と してのメ タルレジス トパターン 2 0を形成する。 爾後、 上記で説明 した実施例に於ける工程の変更に従って同図（4) 〜（8) の如く薄い導 電層 1 2 Bに対して施す穿孔用導電層除去部 1 9 の形成処理工程、 絶縁基材 1 1 に対する穿孔 1 6の形成穿設工程、 厚い導電層 1 2 A 側に対するマスキング処理を伴う薄い導電層 1 2 Bの除去処理と穿 孔 1 6を用いた I Cパッ ド接合用突起部 1 3のメ ッキ形成処理工程 を順次的に施した後、 最後に回路配線パターン 1 2の為のパターン ニング処理工程を行うことにより、 同図（8) の如く耐エッチング導電 性部材としてのメ タルレジス トパターン 2 0により上面が被覆され た所要の回路配線パターン 1 2 と上記実施例同様にその端部裏面部 位で電気的に接合され絶縁基材 1 1 を貫通してその外面側に突出す る I Cパッ ド接合用突起部 1 3を備えた I C搭載用可撓性回路基板 を製作することが可能となる。
    [0034] —方、 第 8図の製造法に於いて、 回路配線パターン 1 2の為のメ タルレジス トパターン 2 0を設けることなく第 7図の工程の一部を 変更しながら行なう手法も可能であり、 第 9図の製造工程図はその 一例を示す。 即ち、 上記実施例同様に無接着剤可撓性両面導電積層 板の両面にそれぞれプロテク トフイ ルム 2 1、 2 2を一様に付着さ せた状態の ドライフォ トレジス トフイルムを被着し、 その各面に対 して露光処理を加えて第 7図（2) と同様に回路配線用レジストパター ン 1 7と穿孔用レジストパターン 1 8とを第 9図（2) の如く形成する。 この露光工程により、 未露光領域 1 7 A、 1 8 Aは、 各々のプロテ ク トフィルム 2 1、 2 2により保持された状態であるから、 先ず穿 孔用レジス トパターン 1 8側のプロテク トフイルム 2 2のみを取去 り現像処理による未露光領域 1 8 Aの除去後、 以下、 同図（3) 〜（7) に示すように既述の工程と同様手法に従った穿孔用導電層のエッチ ング除去処理での導電層除去部 1 9の形成工程及び穿孔用レジス ト パターン 1 8の剥離除去処理の工程を施し、 次いで絶縁基材 1 1 に 対する穿孔 1 6の穿設処理、 メ ツキ手段による I Cパッ ド接合用突 起部 1 3の形成工程を順次的に終了した段階で、 終段の同図（6) 〜（7) の工程に示す如くマスク手段としてのプロテク トフイルム 2 1 の排 除と現像処理を伴う回路配線パター ンニング処理で所要の回路配線 パターン 1 2を形成し、 最後に I Cパッ ドの為の接合用突起部 1 3 の形成処理工程を施すことによって、 第 7図と同様な構造を備えた
    [0035] I C搭載用可撓性回路基板を得ることが出来る。
    [0036] 上記各製法実施例に於いては、 無接着剤タイプの可撓性片面或い は両面の導電積層扳を使用して所要の回路配線パター ンの形成工程 の前後に於いて既述の態様からなる I Cパッ ド接合用突起部の各種 形成手法を説明したが、 斯かる導電積層板の使用に代えて、 好ま し く は耐熱性の良好な可撓性絶縁基材の少なく とも一方面に所要の回 路配線パターンを導電性部材のアディティ ブ法で適宜形成した後、 絶縁基材に対する樹脂エッチング手段やレ -ザ穿設手法の穿孔処理 工程を伴う上記の如き態様による I Cパッ ド接合用突起部の各種形 成法も用途等に応じて採用できる。 また、 I cパッ ド接合用突起部 の形成処理工程に際しその突起部の構成に応じた整形処理の付加や、 搭載すべき I Cベアチップの形態等に対応させた各種の変更若しく は追加の工程を SB慮することが出来る。
    [0037] 「産業上の利用可能性」
    [0038] バンプとして機能する I Cパッ ド接合用突起部は絶縁基材に埋設 されてその先端部が外部に突出した状態で絶縁基材に支持されてい るので、 機械的強度に優れた位置精度の高い I cパッ ド接合用突起 部を形成することが可能である。
    [0039] このような I Cパッ ド接合用突起部は千鳥状の配置を含む種々の 態様で多数箇所に任意形成することも容易であって、 高密度 I じに 対しても好適に対応できる。
    [0040] 従来のフ リ ップチップ方式の如き半田流れ防止用ダムの付設は本 発明に従った I C搭載用可撓性回路基板の場合には不要である。
    [0041] また、 従来のタブ方式で必要な転写バンプの為の転写工程が不要 であって、 製品の低コス ト化を図れる。 本発明により形成される I Cパッ ド接合用突起部を半田部材で構 成する場合には、 この突起部を更に安価に形成可能である。
    [0042] 無接着剤タイプの可撓性導電積層板を使用するので、 化学的樹脂 エツチング法若しく はエキシマレーザ手段の採用により I Cパッ ド 接合用突起部の為の微小な穿孔の形成が可能であり、 又、 I Cボン ディ ング処理時の耐熱性に優れた I C搭載用可撓性回路基板を製作 できる。
    [0043] 可撓性両面型の導電積層板を使用する場合でも所要の露光処理を 両面同時に行なえるので、 回路配線パターンと I Cパッ ド接合用突 起部との精密な位置合せを簡便に行なうことができ、 従って、 回路 配線パター ンと I Cパッ ド接合用突起部との高密度化を好適に達成 可能である。
    权利要求:
    Claims

    請 求 の 範 囲
    . 絶縁基材の一方面に形成した所要の回路配線パター ンを備え、 この回路配線パター ンの所要部位に上記絶縁基材を貫通して電気 的に接合された導電性部材を備え、 この導電性部材は上記絶縁基 材の他方面から突出して I Cボンディ ングの為のバンプとして機 能する I Cパッ ド接合用突起部を形成するように構成したことを 特徴とする I C搭載用可撓性回路基板。
    . 前記接合用突起部を I Cパッ ドに対する接合容易な導電性メ ッ キ部材で構成した請求項 1 の I c搭載用可撓性回路基板。
    . 前記接合用突起部を銅メ ツキ部材で構成した請求項 1 の I C搭 載用可撓性回路基板。
    . 前記接合用突起部の突出端部には I Cパッ ドとの接合容易な導 電性被着層を具備する請求項 3の I C搭載用可撓性回路基板。
    . 前記接合用突起部は、 銅メ ツキ部材とこの銅メ ツキ部材に被着 されて上記絶縁基材の他方面から突出する半田部材とで構成され た請求項 1 の I C搭載用可撓性回路基板。
    . 前記回路配線パターン面には耐性導電層を備える前記請求項の いずれかに記載の I C搭載用可撓性回路基板。
    . 前記接合用突起部が千鳥状の配置構成を具備する前記請求項の いずれかに記載の I C搭載用可撓性回路基板。
    . 前記回路配線パター ンは上記絶縁基材との間に接着剤層の介在 なしに構成された前記請求項のいずれかに記載の I C搭載用可撓 性回路基板。
    . 可撓性絶縁基材と導電層との間に接着剤層のない 無接着剤可 撓性片面導電積層板に於ける該絶縁基材側から上記導電層に達す る穿孔を形成し、 メ ツキ手段で該穿孔に充填した導電性部材によ り一端が上記導電層に密着し他端が該絶縁基材から突出する I C パッ ドの為の接合用突起部を形成した後、 該接合用突起部との関 連に於いて上記導電層に対して所要の回路配線パターンニング処 理を施すことを特徴とする I c搭載用可撓性回路基板の製造法。
    10. 前記導電性部材を I Cパッ ドに対する接合の容易な少なく とも金、 錫又は鉛錫合金のメ ツキ手段で形成した請求項 9の I C搭載用可 撓性回路基板の製造法。
    11. 前記導電性部材が鋦メツキ手段で形成される請求項 9に記載の I C 搭載用可撓性回路基板の製造法。
    12. 前記導電性部材で形成された上記接合用突起部の突出端部に I C パッ ドに対する接合の容易な少なく とも金、 錫又は鉛錫合金から なるメ ツキ層を被着する工程を備える請求項 1 1 の I C搭載用可 撓性回路基板の製造法。
    13. 前記接合用突起部の形成工程が、 上記穿孔に対する銅メ ツキの充 填工程後に該銅メ ツキへの付着処理により上記絶縁基材から突出 する半田部材の形成工程からなる請求項 9の I C搭載用可撓性回 路基板の製造法。
    14. 可撓性絶縁基材の両面に導電層を備えると共に該可撓性絶縁基材 と各導電層との間に接着剤層のない無接着剤可撓性両面導電積層 板を用意し、 上記両導電層の一方面には所要の回路配線パターン ニング処理を施すと共に該導電層の他方面には上記絶縁基材から 上記回路記線パター ンの所要の部位に達する穿孔を形成する為に 必要な導電層除去部を形成し、 この除去部に現れた上記絶縁基材 部分に上記穿孔を形成し、 次いで該穿孔側に残された不要な導電 層を除去した後、 メ ツキ手段で上記穿孔に充填した導電性部材に よって一端が上記回路配線パターンの所要部位に密着すると共に 他端が上記絶縁基材から突出する I Cパッ ドの為の接合用突起部 を形成することを特徴とする I C搭載用可撓性回路基板の製造法。
    15. 可撓性絶縁基材の両面に導電層を備えると共に該可撓性絶縁基材 と各導電層との間に接着剤層のない無接着剤可撓性両面導電積層 板を用意し、 上記両導電層の一方面には所要の回路配線パター ン に対応した'レジス トパター ンを形成し、 上記導電層の他方面には 上記絶縁基材から上記回路配線パターンに該当する導電層の所要 部位に達する穿孔を形成する為に必要な導電層除去部を形成し、 この除去部に現れた上記絶縁基材部分に上記穿孔を形成し、 次に 該穿孔側に残された不要な導電層を除去した後、 メ ツキ手段で上 記穿孔に充填した導電性部材によって一端が上記回路配線パタ - ンに該当する導電層の所要部位に密着すると共に他端が上記絶縁 基材から突出する I Cパッ ド接合用突起部を形成し、 次いで上記 レジス トパター ンを用いて所要の回路配線パター ンニング処理を 施すことを特徴とする I c搭載用可撓性回路基板の製造法。
    16. 前記レジス トパターンを耐エッチング導電性部材で形成する請求 項 1 5の I C搭載用可撓性回路基板の製造法。
    17. 前記レジス トパターンをエッチングレジス ト部材で形成する請求 項 1 5の I C搭載用可撓性回路基板の製造法。
    18. 前記エッチングレジス ト部材を、 プロテク トフィルム付ドライフ ォ ト レジス トフイルムの使用により形成する請求項 1 7の I C搭 載用可撓性回路基板の製造法。
    19. 前記回路配線パターン形成側の導電層を厚く形成し、 また、 上記 他の導電層を薄く形成する請求項 1 4〜 1 7のいずれかに記載の
    1 C搭載用可撓性回路基板の製造法。
    20. 前記穿孔形成工程を化学的な樹脂エッチング手段又はエキシマレ -ザ手段で処理する請求項 9〜 1 9のいずれかに記載の I C搭載 用可撓性回路基板の製造法。
    21. 前記 I Cパッ ド接合用突起部を千鳥状に K置形成する請求項 9〜
    2 0のいずれかに記載の I C搭載用可撓性回路基板の製造法。
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